Científicos chinos desarrollaron un dispositivo de memoria flash con la velocidad de escritura más rápida del mundo, alcanzando un bit en 400 picosegundos, informó este jueves la agencia Xinhua.
Un picosegundo es una unidad de medida de tiempo que representa una billonésima parte de un segundo.
"Un equipo de investigación chino ha desarrollado un dispositivo de memoria flash revolucionario, capaz de almacenar datos a una velocidad de un bit en 400 picosegundos, estableciendo un nuevo récord para dispositivos de memoria semiconductores", publicó el medio.
El dispositivo fue desarrollado en la Universidad de Fudan y denominado "PoX".
Los investigadores lograron crear "una memoria flash bidimensional con un canal de grafeno Dirac utilizando un mecanismo innovador, rompiendo los límites de velocidad del almacenamiento y acceso a información no volátil".
De este modo, el dispositivo de memoria no volátil supera incluso las tecnologías de memoria volátil más rápidas, que "tardan entre uno y diez nanosegundos en almacenar un bit de datos".
